examples/EEPROM/eeprom_mix1.inp

   1 #==============================================================================
   2 # GSS example: EEPROM cell read mixed-type Simulation
   3 #==============================================================================
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   5 set Carrier     = pn
   6 set Z.width     = 1
   7 set LatticeTemp = 3e2
   8 set DopingScale = 2e20
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  10 #------------------------------------------------------------------------------
  11 CONTACT   Type = GateContact        ID = Gate        WorkFunction=4.7
  12 #the floating gate is charged
  13 CONTACT   Type = FloatMetal         ID = Flt_Gate    QF=-2e-15
  14 boundary  Type = OhmicContact       ID = Substrate   Res=0 Cap=0 Ind=0
  15 boundary  Type = InsulatorInterface ID = IF_Oxide_to_Silicon QF=0
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  17 #------------------------------------------------------------------------------
  18 # specify physical model, use Lucent mobility here.
  19 PMIS region=Silicon mobility=Lucent
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  22 # IMPORT NMOS MODEL
  23 IMPORT   CoreFile=eeprom_init.cgns
  24 METHOD   Type = DDML2MIX   Scheme = Newton  NS=Basic LS=GMRES ServerPort=17001
  25 SOLVE
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  27 END
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