examples/EEPROM/model.inp

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   2 # GSS example: EEPROM Simulation
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   5 MESH     Type=GSS   ModelFile=eeprom.cgns Triangle="pzADY"
   6 XMESH    WIDTH=0.4  H1=0.1   H2=0.1
   7 XMESH    WIDTH=0.4  H1=0.1   H2=0.025
   8 XMESH    WIDTH=0.25 H1=0.025 H2=0.05
   9 XMESH    WIDTH=0.25 H1=0.05  H2=0.025
  10 XMESH    WIDTH=0.5  H1=0.025 H2=0.1
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  12 YMESH    DEPTH=0.050 N.SPACES=1 Y.TOP=0.125
  13 YMESH    DEPTH=0.040 N.SPACES=2
  14 YMESH    DEPTH=0.025 N.SPACES=2
  15 YMESH    DEPTH=0.010 N.SPACES=1
  16 YMESH    DEPTH=2.5 H1=0.01 RATIO=1.30
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  18 ELIMINATE Direction=COLUMNS X.MIN=0.6 X.MAX=1.5 Y.TOP=-1.0
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  20 REGION Label=Silicon  Material=Si
  21 REGION Label=Oxide    Y.BOTTOM=0.0 Material=SiO2
  22 REGION Label=Drain    X.MIN=1.5 Y.TOP=0.125 Y.BOTTOM=0.0 Material=Elec
  23 REGION Label=Gate     X.MIN=0.5 X.MAX=1.4   IY.MAX=1     Material=Elec
  24 REGION Label=Source   X.MAX=0.3 Y.TOP=0.125 Y.BOTTOM=0.0 Material=Elec
  25 REGION Label=Flt_Gate X.MIN=0.5 X.MAX=1.4 IY.MIN=3 IY.MAX=5 Material=PolySi
  26 SEGMENT Label=Substrate Location=BOTTOM
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  28 # Define profiles
  29 PROFILE Ion=Acceptor N.PEAK=6E16 Type=Uniform Y.TOP=0 Y.BOTTOM=-3.75 X.MIN=0.0 X.MAX=1.8
  30 PROFILE Ion=Donor    N.PEAK=2E20 Type=Gauss   Y.TOP=0 Y.BOTTOM=0.0 Y.JUNCTION=-0.632 X.MIN=0.0 X.MAX=0.74 X.CHAR=3.2951E-2
  31 PROFILE Ion=Donor    N.PEAK=2E20 Type=Gauss   Y.TOP=0 Y.BOTTOM=0.0 Y.JUNCTION=-0.332 X.MIN=1.4 X.MAX=1.8  X.CHAR=3.2951E-2
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  33 set Carrier     = pn
  34 set Z.width     = 1
  35 set LatticeTemp = 3e2
  36 set DopingScale = 2e20
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  38 CONTACT   Type = GateContact        ID = Gate        WorkFunction=4.7
  39 CONTACT   Type = FloatMetal         ID = Flt_Gate    QF=-1e-15 #the floating gate is charged
  40 boundary  Type = OhmicContact       ID = Substrate   Res=0 Cap=0 Ind=0
  41 boundary  Type = InsulatorInterface ID = IF_Oxide_to_Silicon QF=0
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  43 PLOT     Variable=DeviceMesh
  44 REFINE   Variable=Doping Measure=SignedLog Dispersion=3 Triangle="praDz"
  45 PLOT     Variable=DeviceMesh
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  47 METHOD   Type = DDML1   Scheme = Newton  NS=LineSearch LS=GMRES
  48 # compute equilibrium state
  49 SOLVE    Type = TRANSIENT TStart = 0 TStep=2e-13  TStop = 6e-12
  50 SOLVE    Type=EQUILIBRIUM
  51 #PLOT     Variable=Na        Resolution=RES.High    AzAngle=120  ElAngle=60
  52 #PLOT     Variable=Nd        Resolution=RES.High    AzAngle=120  ElAngle=60
  53 PLOT     Variable=Potential Resolution=RES.High    AzAngle=240  ElAngle=20
  54 PLOT     Variable=ElecDensity      Resolution=RES.High    AzAngle=240  ElAngle=20
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  56 EXPORT   CoreFile = eeprom_init.cgns
  57 END
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