examples/PN_diode/step3.inp

   1 #==============================================================================
   2 # GSS example: PN Diode simulation
   3 # advanced topic:we will compute transient reaction of a pn diode with
   4 # external resistance and capacitance
   5 # The auto time step control is on. Use BDF2 scheme.
   6 # for running it, use "gss step3.inp"
   7 #==============================================================================
   8 ASSIGN _fenq = 1e6  # 1MHz
   9
  10 set Carrier     = pn        # specify carrier type
  11 set LatticeTemp = 3e2       # specify initial temperature of device. Unit:K
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  13 #------------------------------------------------------------------------------
  14 # voltage sources.
  15 vsource Type = VDC    ID = GND  Tdelay=0 Vconst=0
  16 vsource Type = VDC    ID = VCC  Tdelay=0 Vconst=0.5
  17 vsource Type = VSIN   ID = Vs   Tdelay=0.1/_fenq Vamp=1.0 Freq=_fenq
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  19 #------------------------------------------------------------------------------
  20 # specify boundary condition.
  21 boundary Type = OhmicContact      ID = Anode   Res=1000 Cap=0 Ind=0
  22 boundary Type = OhmicContact      ID = Cathode Res=0 Cap=0 Ind=0
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  24 #------------------------------------------------------------------------------
  25 # import equilibrium state result computed in step 1
  26 IMPORT   CoreFile=pn.cgns
  27
  28 ATTACH   Electrode=Cathode  VApp=GND
  29 ATTACH   Electrode=Anode    VApp=VCC VApp=Vs
  30
  31 METHOD   Type = DDML1E Scheme = Newton NS=LineSearch LS=GMRES
  32 SOLVE    Type=STEADYSTATE
  33
  34 METHOD   Type = DDML1E Scheme = Newton NS=Basic LS=GMRES  maxiteration=10
  35 SOLVE    Type=TRANSIENT     IVRecord=Anode   IVFile=iv.txt  ODE.Formula=BDF2\
  36          TStart = 0  TStep = 1.0/_fenq/50   TStop = 2.1*1.0/_fenq
  37 END